混合键合技术成下一代存储半导体封装关键技术 来源：富士期货 作者：富士国际期货 时间：2024-08-14 19:58 富士期货官网：据富士期货8月13日报道，随着市场对第六代高带宽存储器HBM4的期待，能够减少产品厚度并提高运行速度的混合键合技术正成为存储半导体的关键封装技术。据业界12日透露，SK海力士目前计划首先采用“MR-MUF”技术生产HBM4，争取明年引入混合键合技术；三星电子目前使用“TC-NCF”生产HBM，正在加速开发混合键合技术；美光也致力于混合键合技术的研发，但业界认为成熟度尚不足与三星和SK竞争。
